#1 |
数量:99000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:3756 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:2069 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
NTLUS3A18PZ |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5.1A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 18 mOhm @ 7A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 28nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2240pF @ 15V |
功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-UDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 6-uDFN (2x2) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±8 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 2 |
PCB | 6 |
最大功率耗散 | 3800 |
最大漏源电压 | 20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 18@4.5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | UDFN |
标准包装名称 | DFN |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | P |
包装长度 | 2 |
引脚数 | 6 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 0.5(Max) |
最大连续漏极电流 | 8.2 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | No Lead |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 5.1A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 6-uDFN (2x2) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 18 mOhm @ 7A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 700mW |
封装/外壳 | 6-UDFN Exposed Pad |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2240pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 28nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Quad Drain |
外形尺寸 | 2 x 2 x 0.5mm |
身高 | 0.5mm |
长度 | 2mm |
最大连续漏极电流 | -12.2 A |
最大漏源电阻 | 40 mΩ |
最大漏源电压 | -20 V |
最大门源电压 | ±8 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 3.8 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | UDFN |
典型栅极电荷@ VGS | 28 nC @ -4.5 V |
典型输入电容@ VDS | 2240 pF @ -15 V |
典型关闭延迟时间 | 150 ns |
典型导通延迟时间 | 8.6 ns |
宽度 | 2mm |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | P-Channel |
连续漏极电流 | - 5.1 A |
RDS(ON) | 90 mOhms |
功率耗散 | 1.7 W |
漏源击穿电压 | - 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
系列 | NTLUS3A18PZ |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | - 5.1 A |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
技术 | Si |
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