1. NTLUS3A18PZTAG
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTLUS3A18PZTAG 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN T/R

内部编号

277-NTLUS3A18PZTAG

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:99000
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:3756
1+¥3.7607
10+¥3.1795
100+¥2.0513
1000+¥1.641
3000+¥1.3881
9000+¥1.3265
24000+¥1.2786
45000+¥1.2308
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#3

数量:2069
1+¥3.7955
10+¥3.3374
100+¥2.5522
500+¥2.0221
1000+¥1.6196
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTLUS3A18PZTAG产品详细规格

规格书 NTLUS3A18PZTAG datasheet 规格书
NTLUS3A18PZ
NTLUS3A18PZTAG datasheet 规格书
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5.1A
Rds(最大)@ ID,VGS 18 mOhm @ 7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 28nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2240pF @ 15V
功率 - 最大 700mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装 6-uDFN (2x2)
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±8
安装 Surface Mount
包装宽度 2
PCB 6
最大功率耗散 3800
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 18@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 UDFN
标准包装名称 DFN
最高工作温度 150
渠道类型 P
包装长度 2
引脚数 6
通道模式 Enhancement
包装高度 0.5(Max)
最大连续漏极电流 8.2
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.1A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
标准包装 3,000
供应商设备封装 6-uDFN (2x2)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 18 mOhm @ 7A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 700mW
封装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
输入电容(Ciss ) @ VDS 2240pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 28nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain
外形尺寸 2 x 2 x 0.5mm
身高 0.5mm
长度 2mm
最大连续漏极电流 -12.2 A
最大漏源电阻 40 mΩ
最大漏源电压 -20 V
最大门源电压 ±8 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 3.8 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 UDFN
典型栅极电荷@ VGS 28 nC @ -4.5 V
典型输入电容@ VDS 2240 pF @ -15 V
典型关闭延迟时间 150 ns
典型导通延迟时间 8.6 ns
宽度 2mm
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 P-Channel
连续漏极电流 - 5.1 A
RDS(ON) 90 mOhms
功率耗散 1.7 W
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V
系列 NTLUS3A18PZ
品牌 ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current - 5.1 A
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms
Pd - Power Dissipation 1.7 W
技术 Si

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  • 0512-67483580
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    0512-68796728
    0512-67684200
    0512-67683728
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